तकनीकी सिद्धांत: उच्च ऊर्जा लेजर बीम (जैसे नैनोसेकंड/पिकोसेकंड पल्स लेजर) को सिलिकॉन वेफर्स की सतह पर केंद्रित किया जाता है, और तात्कालिक उच्च तापमान के माध्यम से सामग्री का वाष्पीकरण या पिघलना प्राप्त किया जाता है ताकि कटाई पूरी की जा सके। सामान्य लेजर तरंगदैर्ध्य 1.06 μ m (सेमीकंडक्टर लेजर) या 1064nm (फाइबर लेजर) है।
मुख्य लाभ:
उच्च सटीकता: कटाई की सटीकता ± 10 μ m तक पहुँच सकती है, और गर्मी प्रभावित क्षेत्र (HAZ) की चौड़ाई 20 μ m से कम है, जो यांत्रिक कटाई की ± 50 μ m सटीकता से काफी बेहतर है।
गैर-संपर्क प्रसंस्करण: यांत्रिक तनाव के कारण दरार पड़ने के जोखिम से बचता है, जिसमें 99.5% से अधिक की कटाई उपज होती है।
उच्च गति: कटाई की गति 1200 मिमी/सेकंड तक पहुँच सकती है, और एकल उपकरण प्रति दिन 5000 से अधिक टुकड़े उत्पन्न कर सकता है।