Technisches Prinzip: Hochenergetische Laserstrahlen (wie Nanosekunden-/Pikosekunden-Pulslaser) werden auf die Oberfläche von Siliziumwafern fokussiert, und Materialverdampfung oder -schmelzen wird durch sofortige hohe Temperaturen erreicht, um den Schnitt abzuschließen. Die typische Laserwellenlänge beträgt 1,06 μm (Halbleiterlaser) oder 1064 nm (Faserlaser).
Kernvorteile:
Hohe Präzision: Die Schneidegenauigkeit kann ± 10 μ m erreichen, und die Breite der wärmebeeinflussten Zone (HAZ) beträgt weniger als 20 μ m, was deutlich besser ist als die ± 50 μ m Genauigkeit des mechanischen Schneidens.
Nicht kontaktverarbeitend: vermeidet das Risiko von Rissen, die durch mechanischen Stress verursacht werden, mit einem Schneidausbeute von über 99,5 %.
Hohe Geschwindigkeit: Die Schnittgeschwindigkeit kann 1200 mm/s erreichen, und ein einzelnes Gerät kann über 5000 Stück pro Tag produzieren.