প্রযুক্তিগত নীতি: উচ্চ শক্তির লেজার রশ্মি (যেমন ন্যানোসেকেন্ড/পিকোসেকেন্ড পালস লেজার) সিলিকন ওয়েফারের পৃষ্ঠে কেন্দ্রীভূত করা হয়, এবং তাত্ক্ষণিক উচ্চ তাপমাত্রার মাধ্যমে উপাদান বাষ্পীভবন বা গলন অর্জন করা হয় কাটিং সম্পূর্ণ করতে। সাধারণ লেজার তরঙ্গদৈর্ঘ্য 1.06 μ m (সেমিকন্ডাক্টর লেজার) বা 1064nm (ফাইবার লেজার)।
মূল সুবিধাসমূহ:
উচ্চ সঠিকতা: কাটার সঠিকতা ± 10 μ m পর্যন্ত পৌঁছাতে পারে, এবং তাপ প্রভাবিত অঞ্চলের (HAZ) প্রস্থ 20 μ m এর কম, যান্ত্রিক কাটার ± 50 μ m সঠিকতার তুলনায় উল্লেখযোগ্যভাবে ভালো।
নন কন্ট্যাক্ট প্রসেসিং: যান্ত্রিক চাপের কারণে ফাটল হওয়ার ঝুঁকি এড়ায়, ৯৯.৫% এর বেশি কাটার ফলন সহ।
উচ্চ গতি: কাটার গতি 1200mm/s পর্যন্ত পৌঁছাতে পারে, এবং একটি একক ডিভাইস প্রতিদিন 5000 টিরও বেশি টুকরা উৎপাদন করতে পারে।