Principio tecnico: I fasci laser ad alta energia (come i laser a impulsi nanosecondo/picosecondo) sono focalizzati sulla superficie dei wafer di silicio, e l'evaporazione o la fusione del materiale è ottenuta attraverso un'istantanea alta temperatura per completare il taglio. La lunghezza d'onda laser tipica è 1.06 μ m (laser a semiconduttore) o 1064nm (laser a fibra).
Vantaggi principali:
Alta precisione: La precisione di taglio può raggiungere ± 10 μm e la larghezza della zona influenzata dal calore (HAZ) è inferiore a 20 μm, significativamente migliore della precisione di ± 50 μm del taglio meccanico.
Non contact processing: evita il rischio di rottura causato da stress meccanico, con un rendimento di taglio superiore al 99,5%.
Alta velocità: La velocità di taglio può raggiungere 1200 mm/s e un singolo dispositivo può produrre oltre 5000 pezzi al giorno.