Principio tecnico: I fasci laser ad alta energia (come i laser a impulsi di nanosecondi/picosecondi) sono focalizzati sulla superficie dei wafer di silicio, e l'evaporazione o la fusione del materiale viene realizzata attraverso un'istantanea alta temperatura per completare il taglio. La lunghezza d'onda laser tipica è 1,06 μm (laser a semiconduttore) o 1064nm (laser a fibra).
Vantaggi principali:
Alta precisione: L'accuratezza di taglio può raggiungere ± 10 μm e la larghezza della zona influenzata dal calore (HAZ) è inferiore a 20 μm, significativamente migliore rispetto all'accuratezza di ± 50 μm del taglio meccanico.
Non contact processing: evita il rischio di crepe causate da stress meccanico, con un rendimento di taglio superiore al 99,5%.
Alta velocità: La velocità di taglio può raggiungere 1200 mm/s e un singolo dispositivo può produrre oltre 5000 pezzi al giorno.